シナプス後電位
シナプス
後電位
，
postsynaptic potential
(
PSP
)
化学シナプス
のシナプス後部における
膜電位
の変化
イオンチャネル
が開くと膜電位は正または負の方向に変化する
正方向に変化(
脱分極
)
膜電位は(局所的に？)0mVに近づく：
興奮性シナプス後電位
(
EPSP
)
負方向に変化(
過分極
)
抑制性シナプス後電位
(
IPSP
)
ひとつのシナプスの
EPSP
では
シナプス後細胞
全体の膜電位上昇は微小
通常ひとつのニューロンは多数のシナプスから同時に入力を受けるので，合わせると膜電位の大きな揺らぎ(
subthreshold membrane potential oscillation
)が引き起こされる
十分に脱分極されて膜電位が閾値(~ -55mV)を超えると
活動電位
が生じる
受容体
から
神経伝達物質
が離れるとイオンチャネルが閉じ，PSPはおさまり始める
https://www.wikiwand.com/en/Postsynaptic_potential