MOSFET
トランジスタの一種
読み：「もすふぇっと」
Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistorの略
日本語訳すると金属酸化膜半導体電界効果トランジスタであるが、殆どの場合日本語圏でもMOSFET（ないしはトランジスタ、半導体）と呼称される
以下の3種類の端子が必ず存在する
S（ソース）
G（ゲート）
D（ドレイン）
※同じ種類の端子が複数本生えていることもあるため、どの端子がどの役割なのかはデータシートを参照する必要がある
ゲートG　に電圧をかけることで、ソース・ドレイン間SD間　　　　の電流を流したり流さなかったりができる
NチャネルMOSFETとPチャネルMOSFETの２種類存在する
NチャネルMOSFETは、ゲートG　にプラス正の電圧をかけることによってソース・ドレイン間SD間　　　　に電流が流れるようになる（導通する）
PチャネルMOSFETは、ゲートG　にマイナス負の電圧をかけることによってソース・ドレイン間SD間　　　　に電流が流れるようになる（導通する）
回路図上では以下のように表記される
https://gyazo.com/dccf6456090b224dc33642f3dc7a513c
引用元：MOSFETの基礎 - 半導体事業 - マクニカ
ゲートG　に向かう矢印の向きとボディダイオード（後述）の向きが異なる
その他の仕様
構造上の特性から、ソース・ドレイン間SD間　　　　にダイオード（ボディダイオード）が存在する
その為ゲートGに電圧をかけていなくても方向によっては電流が流れるらしい
電流を消費するため、還流ダイオードの代用として用いられることもあるらしい
もしうまく代用できれば、部品点数を減らすことができる
ゲートGに十分な電圧を与えてもソース・ドレイン間SD間　　　　の抵抗が全く無くなるわけではない
この際の抵抗のことをオン抵抗（$ Ron）と呼ぶ
別種のトランジスタであるIGBTとの違い
IGBTの強み
MOSFETより高耐圧
つまり耐えられる電圧が高い
IGBTの弱み（MOSFETの強み）
スイッチング周波数がMOSFETより低い
つまりより高速でON/OFFを切り替える場合はMOSFETの方が向いている
オン抵抗（正確にはオン電圧）が高い
これは高耐圧とトレードオフの関係にある
オン抵抗とオン電圧の違いは、導通損失の計算式
https://gyazo.com/7f01d220b0475d314f1536dde3e42830
https://youtu.be/HcFEo_RiNbc?feature=shared&t=453
関連ページ
/fab-wiki/MOSFET
メモ
電験3種受けたときに分からな過ぎて捨てた所なのでありがたい1ge.icon
トランジスタ
MSFET
pチャネル
nチャネル
IGBT
と理解した