4ゲージ式ひずみゲージ型センサーの電圧とひずみの関係式

4ゲージ式ひずみゲージ型センサーから得られる電圧$ E_{\rm in},E_{\rm out}と物質配置における垂直ひずみ$ \varepsilonの関係式

$ E_{\rm out}\simeq\frac14K\varepsilon E_{\rm in}

$ E_{\rm out}：センサーから得られる出力電圧

$ E_{\rm in}：センサーの印加電圧

$ \varepsilon：センサーにかかるひずみ

$ \varepsilon=K\frac{\varDelta R}{R}で定義される

Wheatstone bridgeにおけるひずみゲージ以外の抵抗の抵抗値

$ \varDelta R：ひずみゲージの抵抗値と$ Rとの差

$ \varepsilonの導出

$ \varepsilon=\frac1{K}\frac{\varDelta R}{R}

$ \simeq\frac4K\frac{E_{\rm out}}{E_{\rm in}}

$ \underline{\implies E_{\rm out}\simeq\frac14K\varepsilon E_{\rm in}\quad}_\blacksquare

References