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http://nhiro.org.s3.amazonaws.com/3/c/3c41209e2dff7fbfb493ee86bee8a05a.jpg https://gyazo.com/3c41209e2dff7fbfb493ee86bee8a05a
(OCR text)
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Internal state drift
メモリセルへの入力が正ばかり(または負)
だと、メモリセルの値が一方的に大きくなり
勾配が消滅する(活性化関数がシグモイドとかだ
と問題ないんだけど今回線形なんで)
序盤の間、入カゲートの出力が0に近づくように
バイアスする
(学習がしばらく進むと他の二ューロンがドリフ
トを吸収するので、それまでの間耐え忍ぶ)