トランジスタ

https://gyazo.com/d2c5e7ed0a61ef61291ac212659f1126

ベースで制御してコレクタからエミッタに流させるのがNPN

ベースで制御してエミッタからコレクタに流させるのがPNP

https://gyazo.com/1e2a089d976db1f7ac839c093ac468ff

https://gyazo.com/0911a0718fb72a052e19b45aedd21a50

https://gyazo.com/7f6d30c732a6a32ba8898acfd64f06ad

式集

直流電流増幅率(hFE)＝コレクタ電流(Ic)　÷　ベース電流(IB)

電流制限抵抗＝マイコン出力電圧「ArduinoUNOは5V」－ベース･エミッタ間飽和電圧）÷　(負荷に流す電流÷hFE)

ベースエミッタ間飽和電圧VBE(sat)とは？『VBE(sat)-IC特性』などを解説！

hFE値

ベース(図1-1参照)に入った電流を何倍に増幅出来るかの比率をhFE(hybrid forward emitter)と言い今回使うのは直流ですので①の式で表されます。

直流電流増幅率(hFE)＝コレクタ電流(Ic)　÷　ベース電流(IB)・・・①式

2sa1015-gr　

PNP

ベースで制御してエミッタからコレクタに流させる

https://gyazo.com/349d41a9afd0a09f0f3ec2fce9528c8a

2SC1815

NPN

ベース、コレクタ、エミッタの並びは2sa1015-gr同じ

TTC014

NPN型

↓ブレッドボードで使うために無理やり銅線をつけてみた

https://gyazo.com/9f38b87743f5601ae9ddcee13d0b58b6

電流制限抵抗＝マイコン出力電圧「ArduinoUNOは5V」－ベース･エミッタ間飽和電圧「1.3V」）÷　(負荷に流す電流÷hFE「100～200」)

直流電流増幅率が高い : hFE = 100～200 (IC = 0.1A)

(2) 高耐圧です : VCEO = 800 V, VCBO = 900 V

(3) 高速です : tr = 0.2 µs (標準), tf= 0.4 µs (標準) (IC = 0.3 A)

https://gyazo.com/c64c0638eb2fed34d2099e60e34e0104

参考にさせて頂きました