窒化ガリウム
高温での動作が可能
電子の飽和速度が大きい
絶縁破壊電圧が高い
などの優位性から半導体デバイスとしての応用が大いに期待されている。
縦型・横型
GaN基盤上にGaNを積んでいく縦型: GaNを積んでく方向に電流が流れるので縦型
シリコン基盤などに、GaNをエピタキシャル成長させて、基盤の横方向に電流を流す。 https://gyazo.com/edbe90f071e195d82ce94fe21a250224
GaNを用いたMOSFET（以下、GaN-MOSFET）には、AlGaN（窒化アルミニウムガリウム）／GaNのヘテロ構造＊1）をSi基板上に形成する「横型」と、GaN基板をそのまま使用する「縦型」がある
横型が、一般向け？にでてるもの
ここで電圧はUSBの規格上、5Vで一定です。すると流れていく電流はどう決定するのでしょう？
縦型は、より高価な場面向けのようだが、これも視野に入ってる？ @2023
酸化ガリウムも？有望らしい
Ga2O3は、高品質かつ大口径の単結晶基板を簡便で安価に製造できるので、
@201911