平成30年春期 応用情報 午前 問10
NAND型フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
ア　バイト単位で書込み，ページ単位で読出しを行う。
イ　バイト単位で書込み及び読出しを行う。
ウ　ページ単位で書込み，バイト単位で読出しを行う。
エ　ページ単位で書込み及び読出しを行う。
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平成30年春期 応用情報技術者試験 午前
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